MOS晶体管有二极管、三极管，同时也可分为增强型MOS晶体管以及耗尽型MOS管，对于产品结构经理，在研发产品时需要用到mos管，同时在实践中会发现MOS晶体管会出现寄生电容的情况，那到底是什么原因产生这种情况的呢，小编通过查询资料给大家带来了以下内容，希望能帮助大家

1. 势垒电容：功率半导体中，当N型和P型半导体结合后，由于浓度差导致N型半导体的电子会有部分扩散到P型半导体的空穴中，因此在结合面处的两侧会形成空间电荷区（该空间电荷区形成的电场会阻值扩散运动进行，最终使扩散运动达到平衡）；

2.扩散电容：当外加正向电压时，靠近耗尽层交界面的非平衡少子浓度高，远离非平衡少子浓度低，且浓度自高到底逐渐衰减直到0。当外加正向电压增大时，非平衡少子的浓度增大且浓度梯度也增大，外加电压减小时，变化相反。该现象中电荷积累和释放的过程与电容器充放电过程相同，称为扩散电容。

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